诺思副总裁蒋浩在展会上说
，自2014年最先大批量交付以来
，诺思已经向全球100余家客户供应了射频滤波芯片近1亿颗
，普遍应用于种种3G/4G无线智能终端、导航终端及装备、基站、卫星通讯、物联网终端等领域。

蒋浩谈到
，公司研发团队在FBAR领域17年一连、不中止起劲
，一直提升产品设计能力和制造工艺能力。阻止到今天
，公司仍然是海内唯一掌握自主知识产权
，唯一实现大批量交付
，且各项性能指标所有抵达甚至部分凌驾国际偕行业水平的公司。2019年诺思工厂交付能力将抵达20亿颗/年。

本次在展会上诺思宣布的双工器
，预计将在2018年12月大批量交付市场。同时蒋浩还透露
，今年年底前诺思还将宣布一款高功率全频段滤波器产品和针对5G新频段的滤波器样品。

RSFD1702C接纳最新的手艺和工艺
，包管滤波用具有优良的上行/下行通带插损性能。上行通带整体插损性能优于-2.4dB, 通带中央插损-1.1dB
，同时具有较高的功率容量。下行通带中央插损约-1.5dB, 同时具有较高的功率容量
，可应对基站应用的需求。同时
，该款产品具有较高的上行/下行之间的隔离度性能
，抵达-55dB以下。该产品还接纳了先进的芯片倒装封装工艺
，产品尺寸1.8mm x 1.4mm x 0.65mm
，以适用于客户对系统空间一直提高的要求。

RSFD2502C具备了FBAR滤波器高滚降
，高功率
，1000V以上的防静电击穿能力（ESD）的特点
，与此同时以更小尺寸为客户节约更多的集成空间。性能方面RSFD2502C的发射端（Tx Port）提供了右侧的高抑制度
，全温通带内（-20℃~+85℃）低插入消耗
，主要体现在事情状态下高耐受功率的特征。吸收端（Rx Port）提供了全温通带内（-20℃~+85℃）的低插入消耗和发射端（Tx Port）的高隔离度
，为应用情形提供了优异的迅速度。